摘要：:氧化鎵晶圓,半導體【CNMO新聞】半導體行業(yè)的成長離不開基本質料的不絕進化，今朝，氧化鎵正成為半導體行業(yè)冉冉升起的新星。據CNMO相識，氧化鎵被認為是繼第三代半導體質料碳化硅（SiC）和氮化鎵（
【CNMO新聞】半導體行業(yè)的成長離不開基本質料的不絕進化，今朝，氧化鎵正成為半導體行業(yè)冉冉升起的新星。據CNMO相識，氧化鎵被認為是繼第三代半導體質料碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）之后的第四代半導體質料。可以說，氧化鎵是最具市場潛力的半導體質料，有大概在將來十年稱霸半導體市場。對此，已經有日本企業(yè)開始動作了。
克日，日經新聞報道稱，日本新興企業(yè)Novel Crystal Technology正加緊推進配備在純電動汽車上的功率半導體利用的新一代晶圓的貿易化。據悉，這是一種由氧化鎵（GaO）制成的晶圓，最早將于2025年開始量產。
Novel Crystal打算2025年起每年出產2萬枚100毫米晶圓，到2028年量產效率更高的200毫米晶圓。該公司社長倉又暗示，氧化鎵比碳化硅更占優(yōu)勢，該公司的自主工藝可將本錢低落到三分之一的程度。
對付許多人來說，氧化鎵還較量生疏。簡樸來說，這種質料擁有超寬禁帶的特性，能遭受更高電壓的瓦解電壓和臨界電場，因此在超高功率元件的應用方面極具潛力。再加上其高質量與大尺寸的天然襯底，相對付今朝回收的寬禁帶碳化硅與氮化鎵技能，具備奇特且顯著的本錢優(yōu)勢。
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