摘要：:3D NAND,128內(nèi)存,3D內(nèi)存【CNMO新聞】4月13日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司公布其128層QLC 3D NAND 閃存（X2-6070）研發(fā)樂(lè)成，并在多家節(jié)制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)物上通過(guò)驗(yàn)證。長(zhǎng)江存儲(chǔ)X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)物
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【CNMO新聞】4月13日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司公布其128層QLC 3D NAND 閃存（X2-6070）研發(fā)樂(lè)成，并在多家節(jié)制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)物上通過(guò)驗(yàn)證。長(zhǎng)江存儲(chǔ)X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)物中最高單元面積貯儲(chǔ)密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量，同時(shí)長(zhǎng)江存儲(chǔ)還宣布了128層512Gb TLC（3 bit/cell）規(guī)格閃存芯片（X2-9060）。
據(jù)悉，每顆X2-6070 QLC閃存芯片擁有128層三維倉(cāng)庫(kù)，共有高出3,665億個(gè)有效的電荷俘獲型（Charge-Trap）存儲(chǔ)單位 ，每個(gè)存儲(chǔ)單位可存儲(chǔ)4字位（bit）的數(shù)據(jù)，共提供1.33Tb的存儲(chǔ)容量。在I/O讀寫(xiě)機(jī)能方面，X2-6070及X2-9060均可在1.2V Vccq電壓下實(shí)現(xiàn)1.6Gbps（Gigabits/s 千兆位/秒）的數(shù)據(jù)傳輸速率。 長(zhǎng)江存儲(chǔ)市場(chǎng)與銷(xiāo)售高級(jí)副總裁龔翊（Grace）暗示：“作為閃存行業(yè)的新人，長(zhǎng)江存儲(chǔ)用短短3年時(shí)間實(shí)現(xiàn)了從32層到64層再到128層的超過(guò)。這既是數(shù)千長(zhǎng)存人汗水的凝結(jié)，也是全球財(cái)富鏈上下游通力協(xié)作的成就。跟著Xtacking 3D NAND,128內(nèi)存,3D內(nèi)存http://m.restorativevibrationalpractice.com/news/xingyezixun/14621.html (責(zé)任編輯：admin) 
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